В статье «Исследование вольт-амперных характеристик диодных структур на базе тонких пленок халькогенидов рения» были исследованы статическая и динамическая вольт-амперные характеристики халкогенидов рения, полученных электрохимическим путем. Снятие динамических и статистических вольт-амперных характеристик показало, что в тонких покрытиях халкогенидов рения имеется эффект «переключения памяти». Эти покрытия могут быть использованы как диод в полупроводниковой технике.

«Исследование вольт-амперных характеристик диодных структур на основе тонких пленок  халькогенидов рения», Э.А.Салахова, Д.Б.Тагиев, П.Э.Калантарова, Н.Н.Ханкишиева. 5(3), 2016, с. 795-802