Новости
Вышла статья сотрудника института "REVERSIBLE AMORPHIZATION AND CHARACTER OF CONDUCTIVITY OF TlInTe2 CRYSTAL AT IONIC CONDUCTIVITY TEMPERATURE UNDER AC-ELECTRIC FIELD" в журнале "Journal of Physics D: Applied Physics" с Импакт Фактором 3.169 (CA)
Окт 02, 2020 | 13:53 / Публикации
Прочитано 240 раз (-а)

Вышла совместная статья "REVERSIBLE AMORPHIZATION  AND CHARACTER OF CONDUCTIVITY OF TlInTe2 CRYSTAL AT IONIC CONDUCTIVITY TEMPERATURE UNDER AC-ELECTRIC FIELD" сотрудника института В.Гасымова и сотрудников Института Физики. 

Аннотация

Температурная зависимость рентгеноструктурного исследования кристалла в широком интервале температур (300–570 K) выявляет последовательность фазовых переходов, включая сегнетоэлектрический (300–370 K) и фазовые переходы с ионной проводимостью (485–500 K). (FPT и ICPT), которые вызваны смещением и термической активацией ионов внутри кубических клеток Томсона элементарных ячеек. Результаты исследований XRD в зависимости от температуры подтверждают наши предыдущие исследования этого кристалла (Alekperov O.Z. et al. 2018 J. Appl. Phys. 123, 135701) с помощью метода импеданской спектроскопии (IS). Температурная зависимость интенсивности почти всех рефлексов в данных XRD была исследована на несколько десятков Кельвинов выше температуры так называемой ионной проводимости (IC). Интенсивность практически всех рефлексов уменьшается с увеличением температуры до K и достигает минимума при K, соответствующего максимуму при FPT. Такое же сильное уменьшение интенсивности имеет место для рефлекса 110 при K, что соответствует активации иона Tl + вдоль направления цепи кристалла. Также наблюдается небольшое снижение интенсивности рефлекса 221 при температуре IC. Рефлексы, интенсивность которых практически не изменилась, составляют 220 и 440. Измерения XRD при комнатной температуре проводились в широком интервале температур в переменном электрическом поле с амплитудой и частотой 0,5 МГц, приложенным вдоль c-направления кристалла. Наши измерения показывают частичную аморфизацию структуры, которая постепенно расслабляется в течение нескольких дней до более совершенной тетрагональной структуры с более высокой интенсивностью рефлексов XRD, чем исходные рефлексы. Анализируя результаты измерений ИС и проводимости в широкозонных и узкозонных полупроводниках на примере кристаллов нитрата рубидия (RbNO3) и теллурида индия-таллия (TlİnTe2) соответственно, было показано, что определение суперионной проводимости совершенно неприменимо, поскольку высокая проводимость в этих полупроводниках связана с увеличением концентрации свободных электронов.

REVERSIBLE AMORPHIZATION  AND CHARACTER OF CONDUCTIVITY OF TlInTe2 CRYSTAL AT IONIC CONDUCTIVITY TEMPERATURE UNDER AC-ELECTRIC FIELD

O. Z. Alekperov, E. Nakhmedov, A. Najafov, O. Samedov, Kh. Nadirova,

V. Gasymov and G. R. Mahmudova 

Journal of Physics D: Applied Physics, IF-CA, 2020, v.53,035103