Июн 09, 2020 | 10:37 / Важные события
Исследованы термодинамические, кинетические и диэлектрические свойства системы As2S3 – As2Se3. Рассчитаны зависимости энергии свободного перемешивания Гиббса от состава системы As2S3 – As2Se3. Теоретическим путем установлено, что стекла на основе As2Se3 образуются в диапазоне концентраций до 15 мол.% As2S3. Стекло-кристаллический переход на основе образцов As2Se3 изучался в рамках модели линейной изоконверсии. Фазовая диаграмма As2S3–As2Se3 аппроксимирована термодинамическим методом. Построены концентрационно-температурные зависимости свободной энергии Гиббса сплавов (1 - x) As2Se3 × xAs2S3. Процесс перехода стекло-кристалл в сплавах системы As2S3 – As2Se3 проанализирован термодинамическим спрсобом. Исследована температурная зависимость электропроводности образца на основе As2Se3 при постоянном токе и диэлектрических свойствах твердых растворов 0.8As2Se3 ⋅ 0.2As2S3 в переменных электрических полях с частотой f = 20–106 Гц. Установлен характер диэлектрических потерь, а также механизм переноса заряда в исследованных образцах. Оценены плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми, разброс энергий этих состояний, среднее расстояние и время скачков носителей над запрещенной зоной.
"Thermodynamic and Dielectric Properties of As2S3–As2Se3" M. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, D. B. Tagiyev, and V. F. Lukichev Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2020, Vol. 65, No. 5, pp. 733–742.