Изучены диэлектрические свойства и ac-проводимость электронно-облученного слоистого монокристалла TlGaS2 в диапазоне частот 5 × 104–3.5 × 107 Гц. Установлено, что электронное облучение образцов монокристалла TlGaS2 дозами 2 × 1012–2.4 × 1013 э/см2 приводит к уменьшению действительной составляющей (ε') комплексной диэлектрической проницаемости в области высоких частот (f > 106 Гц), увеличению ее мнимой составляющей (ε''), тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) и ac-проводимости (σac) поперек слоев во всей изученной области частот. При дозах облучения 2 × 1012–2.4 × 1013 э/см2 в TlGaS2 имеют место потери сквозной проводимости и по мере накопления дозы электронного облучения значительно увеличивается дисперсия ε'' и tgδ. В области частот f = 5 × 104–2 × 107 Гц в облученных образцах TlGaS2 ac-проводимость изменялась по закону σac ∼ fn (где n = 0.7–0.8), характерному для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Оценены параметры локализованных состояний в TlGaS2 в зависимости от дозы электронного облучения: плотность состояний вблизи уровня Ферми и их энергетический разброс.

"Modifying the Dielectric Properties of the TlGaS2 Single Crystal by Electron Irradiation" S. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, and V. F. Lukichev. Russian Microelectronics, 2020, Vol. 49, No. 4, pp. 263–268.