Магнитные топологические изоляторы представляют собой узкозонные полупроводниковые материалы, которые сочетают нетривиальную зонную топологию и магнитный порядок. В отличие от своих немагнитных аналогов, магнитные топологические изоляторы могут иметь некоторые поверхностные щели, что делает возможным проявление таких экзотических явлений,  как квантовый аномальный эффект Холла и киральные майорановские фермионы, которые потенциально могут быть использованы в спинтронике.

До сих пор магнитные топологические изоляторы создавались только посредством легирования немагнитных топологических изоляторов с 3d металлами; однако такой подход приводит к сильно неоднородным магнитным и электронным свойствам этих материалов, ограничивая наблюдение важных эффектов при очень низких температурах. Собственный магнитный топологический изолятор - стехиометрическое упорядоченное магнитное соединение - мог бы быть идеальным решением этих проблем, но такой материал до настоящего времени не был получен. Здесь мы теоретически предсказываем и далее подтверждаем с помощью различных экспериментальных методов реализацию антиферромагнитного топологического изолятора в слоистом ван-дер-ваальсовом соединении MnBi₂Te₄.

M. M. Otrokov, I. I. Klimovskikh, H. Bentmann, D. Estyunin, A. Zeugner, Z. S. Aliev, S. Gaß, A. U. B. Wolter, A. V. Koroleva, A. M. Shikin, M. Blanco-Rey, M. Hoffmann, I. P. Rusinov, A. Yu. Vyazovskaya, S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, V. M. Kuznetsov, F. Freyse, J. Sánchez-Barriga, I. R. Amiraslanov, M. B. Babanly, N. T. Mamedov, N. A. Abdullayev, V. N. Zverev, A. Alfonsov, V. Kataev, B. Büchner, E. F. Schwier, S. Kumar, A. Kimura, L. Petaccia, G. Di Santo, R. C. Vidal, S. Schatz, K. Kißner, M. Ünzelmann, C. H. Min, Simon Moser, T. R. F. Peixoto, F. Reinert, A. Ernst, P. M. Echenique, A. Isaeva & E. V. Chulkov.