Bu yaxınlarda Çinin Fudan universitetinin bir qrup tədqiqatçıları dünyada ilk dəfə tam olaraq silisiumdan ibarət lazer yaratmaq üçün silisium nanokristallardan (kiçik ölçülərinə görə yüksək optiki xassələrə malik) istifadə etdilər. Xüsusi yetişdirilmə metodundan istifadə edərək bu nanokristallardan yüksək sıxlığa malik nazik silisium təbəqəsi hazırladılar. Nəticədə isə qallium arsenid (Ga As) və ya indium fosfid (İnP) lazerlərinin səmərəliliyi ilə müqayisə edilə bilən yüksək effektivliyə malik yeni lazer aldılar.

Hazırlanmış dörd  təcrübi nümunənin  şüalanma spektirinin maksimumu 760-770 nanometr intervalındadır.

Bu lazerin yaradılması elektrik yolla doldurma üsulundan istifadə edən tam olaraq silisium lazerinin yaradılması istiqamətində ilk addımdır.