Kataliz və Qeyri-üzvi Kimya İnstitutunun “Nanoelektrokimya və elektrokataliz” laboratoriyasının elmi işçisi Sevinc Javadova 11-12 noyabrda Türkiyənin İKSAD institutunun rəhbərliyi ilə Azərbaycan Texniki Universitetində keçirilən “International Conference on Engineering Sciences” konfransında “OPTIMAL MODE FOR OBTAINING Bi₂Se₃ THIN FILMS BY ELECTROCHEMICAL METHOD” adlı məruzə ilə çıxış etmişdir.

Məruzə termoelektrik material, topoloji izolyator kimi tanınan Bi₂Se₃ yarımkeçirici nazik təbəqələrinin sintezinə həsr edilmişdir. Bu məqsədlə, optimal elektrolit tərkibini təyin etmək üçün qalvanostatik rejimdə çökdürülmüş Bi₂Se₃ təbəqələrinin tərkibinə müxtəlif amillərin (başlanğıc komponentlərinin qatılığı, temperatur, cərəyan sıxlığı, elektroliz müddəti) təsiri tədqiq edilmişdir. Təcrübələr Ni elektrodu səthində aparılmışdır. Nəticələr göstərir ki, cərəyan sıxlığı və H₂SeO₃ qatılığının artması ilə nazik təbəqələrdə bismutun miqdarı azalır. Elektrolitin temperaturu, Bi(NO₃)₃·5H₂O qatılığı və elektroliz müddətinin artması ilə nazik təbəqələrdə bismutun miqdarı artır. Alınan nəticələr əsasında stexiometrik tərkibə yaxın Bi₂Se₃ nazik təbəqələrinin alınması üçün elektrokimyəvi çökmənin optimal rejimi və elektrolitin tərkibi seçilmişdir. Elektrolit tərkibi (mol/l): 0,07 Bi(NO₃)₃ ×5H₂O + 0,03H₂SeO₃ + C₆H₈O₇; T = 298 K; cərəyan sıxlığı 2,5 A/dm²; elektroliz müddəti 10 dəq.