Akademik M. Nağıyev adına Kataliz və Qeyri-üzvi Kimya İnstitutunun əməkdaşları – akademik Dilqəm Tağıyev, professor Akif Əliyev, aparıcı elmi işçi V. Məcidzadə, aparıcı elmi işçi Q. Əliyev, elmi işçi S. Cavadova, elmi işçi S. Dadaşovanın “Scopus” bazasına daxil olan Q3 kateqoriyalı “Mathematical Models and Computer Simulations” jurnalında “Mathematical Modeling and Optimization of the Process of Formation of Functional Thin MoSe₂ Films” adlı məqaləsi dərc olunub.

Məqalədə elektrokimyəvi üsulla funksional Mo-Se nazik təbəqələrinin alınması üçün texnoloji prosesin riyazi modelləşdirilməsi və optimallaşdırılması nəzərdən keçirilir. Tədqiqat müxtəlif şəraitdə Pt və Ni elektrodlarında potensiodinamik, potensiostatik və qalvanostatik üsullarla aparılmışdır. Riyazi hesablamalar bu proses üçün xüsusi hazırlanmış proqram təminatı ilə həyata keçirilmişdir. Müxtəlif amillərin (ilkin komponentlərin qatılığı, temperatur, cərəyan sıxlığı və s.) təsirini öyrənməklə, elektroçökmə prosesi üçün optimal elektroliz rejimi və elektrolit tərkibi seçilmişdir. Alınan reqressiya tənliyinin statistik təhlili aparılmış, orta yaxınlaşma xətası hesablanmış və standart kənarlaşma qiymətləndirilmişdir. Qurulmuş çoxsaylı reqressiya tənliyini qiymətləndirmək üçün Fişer kriteriyası və reqressiya əmsalları hesablanmışdır. Alınan reqressiya tənliyi elektrolitin tərkibini və elektroliz şəraitini müəyyən edir ki, bu da tərkibində lazımi miqdarda Mo olan Mo-Se ərintinin çökməsinə imkan verir.

Majidzade, V.A., Aliyev, G.S., Javadova, S.P., Aliyev A.Sh, Dadashova S.D., Tağıyev D.B. Mathematical Modeling and Optimization of the Process of Formation of Functional Thin MoSe₂ Films.Math.Models.Comput.Simul. 15, 73–78 (2023). https://doi.org/10.1134/S2070048223010118

Məqalə ilə bu linkə daxil olmaqla, tanış olmaq olar:

https://link.springer.com/article/10.1134/S2070048223010118