Xəbərlər
Akademik Dilqəm Tağıyevin, k.e.d. Elza Salahovanın və b. yüksək impakt faktorlu (3,785) “International Journal Of Engineering Sciences & Research Technology” jurnalında məqaləsi dərc olunmuşdur
Noy 01, 2016 | 12:00 / Mühüm hadisələr
Oxunub 3620 dəfə

“Investigation Of  Voltampere Characteristics of Diodic Structure on Base of Thin Films of Rhenium Chalcogenides” məqaləsində elektrokimyəvi yolla alınmış renium xalkogenidlərinin nazik təbəqələinin statik və dinamik voltampermetrik xarakteristikası tədqiq edilmişdir. Dinamik və statik voltamper (VAX) əyrilərinin çəkilməsi göstərir ki, elektrokimyəvi üsul ilə alınmış renium xalkogenid təbəqələrində çevirilmə və yaddaş effekti mövcuddur. Həmin təbəqələr diod kimi yarımkeçiricilər texnikasında istifadə edilə bilər.

“Investigation Of Voltampere Characteristics of Diodic Structure on Base of Thin Films of Rhenium Chalcogenides”. E.A.Salakhova, D.B.Tagiyev, P.E.Kalantarova, N.N.Khankishiyeva. 5(3) March, 2016. p.795-802.

JURNALLAR
Faydalı linklər