Xəbərlər
İnstitutun əməkdaşlarının "Modifying the Dielectric Properties of the TlGaS2 Single Crystal by Electron Irradiation" məqaləsi Impakt Faktorlu (CA) Russian Microelectronics jurnalında dərc olunmuşdur
İyn 03, 2020 | 14:18 / Mühüm hadisələr
Oxunub 117 dəfə

Dəyişən elektrik sahəsində 5 × 104–3.5 × 107 Hz tezlik diapazonunda elektron şüalanmış laylı TlGaS2 monokristalın dielektrik xassələri və ac-keçiriciliyi öyrənilmişdir. TlGaS2 monokristal nümunələrinin 2 × 1012–2.4 × 1013 e / sm2 dozaları ilə elektron şüalanması, yüksək tezlikli elektrik sahədə kompleks dielektrik sabitinin həqiqi komponentinin (ε ') azalmasına və xəyali komponentinin artmasına (ε'') səbəb olduğu müəyyən edilmişdir. Nəzəriyyəyə əsaslanaraq dielektrik itkisi tangensi (tanδ) və bütün tədqiq olunan tezlik diapazonunda kristalın təbəqələri arasındakı ac-keçiriciliyi (σac) təhlil edilmişdir. Radiasiya dozalarında TlGaS2-də 2 × 1012–2.4 × 1013 e / sm2, keçiricilik itkisi olur və elektron şüalanma dozasının yığılması ilə dispersiya ε'' və tanδ əhəmiyyətli dərəcədə artır. Şüalanmış TlGaS2 nümunələrində f = 5 × 104-22 × 107 Hz tezlik diapazonunda, Fermi səviyyəsinə yaxın lokallaşdırılmış vəziyyətlər üzərindən yüklənmənin ötürülməsi mexanizminin mahiyyəti və səciyyəvi olan σac ∼ fn qanununa (burada n = 0.7-0.8) uyğun olaraq elektrik keçiriciliyinin dəyişdiyi müəyyən edilmişdir. Nəzəriyyə çərçivəsində TlGaS2-də lokallaşdırılmış vəziyyətlərin parametrləri elektron şüalanmanın dozasından asılı olaraq hesablanmışdır: Fermi səviyyəsinə yaxın olan səviyyələrin sıxlığı və enerjinin yayılması qiymətləndirilmişdir.

"Modifying the Dielectric Properties of the TlGaS2 Single Crystal by Electron Irradiation" S. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, and V. F. Lukichev. Russian Microelectronics, 2020, Vol. 49, No. 4, pp. 263–268.

JURNALLAR
Faydalı linklər