İşdə, ilk dəfə olaraq bizim tərəfimizdən alınmış antiferromaqnit topoloji izolyator xassəli MnBi₂Te₄ kristalının  elektron quruluşunda Neel temperaturundan (25K) keçdikdə asılı olaraq baş verən dəyişikliklər bucaq fotoemission spektroskopiyası (ARPES) üsulu ilə öyrənilmişdir.

Alınmış nəticələr həcmi və topoloji səth halları ilə yaranan maqnetizm arasında qarşılıqlı əlaqə olmasını ciddi dəlillərlə sübut edir. MnBi₂Te₄ kristalının səthində müşahidə olunan bu asılılıq maqnit topoloji izolyatorlarında maqnetizmin mövcudluğunu aşkar etmək üçün ARPES spektlərinə əsaslanan yeni istiqamətləndirici təcrübi üsul kimi istifadə edilə bilər. 

“Signatures of temperature driven antiferromagnetic transition in the electronic structure of topological insulator MnBi2Te4” D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, A. M. Shikin, E. F. Schwier, M. M. Otrokov, A. Kimura, S. Kumar, S. O. Filnov, Z. S. Aliev, M. B. Babanly and E. V. Chulkov. Cite as: APL Mater. 8, 021105 (2020); doi: 10.1063/1.5142846